現(xiàn)在囤貨沒有性價比，下一代B100 GPU更香？

人工智能浪潮席卷全球，AI服務(wù)器需求井噴，同時也帶火了擁有超高帶寬的HBM芯片。

周二，英偉達官網(wǎng)官宣史上最強的AI芯片H200，其基于Hopper架構(gòu)，配備英偉達H200 Tensor Core GPU，可以為生成式AI和高性能計算工作負載處理海量數(shù)據(jù)。

其中值得一提的是，H200是全球首款配備HBM3e內(nèi)存的GPU，擁有高達141GB的顯存。據(jù)SK海力士介紹，HBM3e芯片擁有更快的速度，容量也更大，在速度、發(fā)熱控制和客戶使用便利性等所有方面都達到了全球最高水平。

一直以來，由于高成本等制約因素，企業(yè)往往選擇提高處理器的計算能力性能，而忽略了內(nèi)存帶寬性能。隨著AI服務(wù)器對高性能內(nèi)存帶寬提出更高要求，HBM（高帶寬內(nèi)存）成了“香餑餑”。

H200最大升級：HBM3e

相比于前一代H100，H200在哪些方面進行了升級？

H100相比，H200 的性能提升主要體現(xiàn)在推理性能表現(xiàn)上。在處理 Llama 2 等大語言模型時，H200 的推理速度比 H100 提高了接近 2 倍。

相同的功率范圍之內(nèi)實現(xiàn) 2 倍的性能提升，意味著實際能耗和總體成本降低了50%。

得益于 Tansformer 引擎、浮點運算精度的下降以及更快的 HBM3內(nèi)存 ，H100 在 GPT-3 175B 模型的推理性能方面已經(jīng)較 A100 提升至 11 倍。而憑借更大、更快的 HBM3e 內(nèi)存，無需任何硬件或代碼變更的 H200 則直接把性能提高至 18 倍。

從 H100 到 H200，性能提高了 1.64 倍，這一切都歸功于內(nèi)存容量和帶寬的增長。

H100 具有 80 GB 和 96 GB 的 HBM3 內(nèi)存，在初始設(shè)備中分別提供 3.35 TB/秒和 3.9 TB/秒的帶寬，而 H200 具有 141 GB 更快的 HBM3e 內(nèi)存，帶寬為 4.8總帶寬 TB/秒。

其他方面，據(jù)媒體分析，H200 迄今為止僅適用于 SXM5 插槽，并且在矢量和矩陣數(shù)學(xué)方面具有與 Hopper H100 加速器完全相同的峰值性能統(tǒng)計數(shù)據(jù)。

什么是HBM？

出于一系列技術(shù)和經(jīng)濟因素的考量，存儲性能的提升速度往往跟不上處理器，過去20年硬件的峰值計算能力增加了90000倍，但是內(nèi)存/硬件互連帶寬卻只是提高了30倍。

而當存儲的性能跟不上處理器，讀寫指令和數(shù)據(jù)的時間將是處理器運算所消耗時間的幾十倍乃至幾百倍。想象一下，數(shù)據(jù)傳輸就像處在一個巨大的漏斗之中，不管處理器灌進去多少，存儲器都只能“細水長流”。

為了減少能耗和延遲，將很多個普通DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，就得到了所謂的HBM（高帶寬內(nèi)存）。HBM通過增加帶寬，擴展內(nèi)存容量，讓更大的模型，更多的參數(shù)留在離核心計算更近的地方，從而減少內(nèi)存和存儲解決方案帶來的延遲。

不過，這也意味著更高的成本，在沒有考慮封測成本的情況下，HBM的成本是GDDR的三倍左右。HBM發(fā)展制約因素正是高成本，一些高級計算引擎上的HBM內(nèi)存成本往往比芯片本身還要高，因此添加更多內(nèi)存自然面臨很大的阻力。

媒體進一步分析指出，如果添加內(nèi)存就能讓性能翻倍，那同樣的 HPC 或 AI 應(yīng)用性能將只需要一半的設(shè)備即可達成，這樣的主意顯然沒法在董事會那邊得到支持。這種主動壓縮利潤的思路，恐怕只能在市場供過于求，三、四家廠商爭奪客戶預(yù)算的時候才會發(fā)生。

接下來到了拼內(nèi)存突破的階段？

然而，隨著AI的爆火，對帶寬的要求更高，HBM需求激增。市場規(guī)模上，有分析預(yù)計預(yù)計2023年全球HBM需求量將增近六成，達到2.9億GB，2024年將再增長30%，2025年HBM整體市場有望達到20億美元以上。SK海力士已表示，2024年的HBM3訂單已經(jīng)排滿，而同樣的情況現(xiàn)在也出現(xiàn)在三星身上。

同時分析指出，無論英偉達接下來的 Blackwell B100 GPU 加速器具體表現(xiàn)如何，都基本可以斷定會帶來更強大的推理性能，而且這種性能提升很可能來自內(nèi)存方面的突破、而非計算層面的升級。因此，從現(xiàn)在到明年夏季之間砸錢購買英偉達 Hopper G200沒有什么性價比可言，但快速發(fā)展也是數(shù)據(jù)中心硬件技術(shù)的常態(tài)。

此外，英偉達的競爭對手——AMD也將在12月6日推出面向數(shù)據(jù)中心的“Antares”GPU加速器家族，包括帶有192 GB HBM3內(nèi)存的Instinct MI300X和帶有128 GB HBM3內(nèi)存的CPU-GPU混合MI300A。

算力帶動 HBM 需求井噴，HBM 持續(xù)迭代升級。

與 DDR 對比，HBM 基于 TSV 工藝與處理器封裝于同一中介層，在帶寬、面積、功耗等多方面更具優(yōu)勢，緩解了數(shù)據(jù)中心能耗壓力及帶寬瓶頸。訓(xùn)練、推理環(huán)節(jié)存力需求持續(xù)增長、消費端及邊緣側(cè)算力增長打開 HBM 市場空間。2022 年全球 HBM 市場規(guī)模約為36.3 億美元，預(yù)計至 2026 年市場規(guī)模將達 127.4 億美元，CAGR 達 37%。HBM 持續(xù)迭代升級，2023 年主流 HBM 從 HBM2E 升級為 HBM3 甚至 HBM3E，HBM3比重預(yù)估約為 39%，2024 年提升至 60%。當前 HBM 市場仍由三大家主導(dǎo)，2022 年全年 SK 海力士占 50%，三星占 40%，美光占 10%。

SK 海力士技術(shù)領(lǐng)先，三星/美光加速追趕。

1）SK 海力士：

技術(shù)領(lǐng)先，核心在于 MR-MUF 技術(shù)，MR-MUF 能有效提高導(dǎo)熱率，并改善工藝速度和良率。SK海力士于 2021 年 10 月率先發(fā)布 HBM3，2023 年 4 月公司實現(xiàn)了全球首創(chuàng) 12層硅通孔技術(shù)垂直堆疊芯片，容量達到 24GB，比上一代 HBM3 高出 50%，SK海力士計劃在 2023 年年底前提供 HBM3E 樣品，并于 2024 年量產(chǎn)，公司目標 2026 年生產(chǎn) HBM4；

2）三星：

萬億韓元新建封裝線，預(yù)計 25 年量產(chǎn) HBM4。 為應(yīng)對 HBM 市場的需求，三星電子已從三星顯示（Samsung Display）購買天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑物和設(shè)備，用于建設(shè)新HBM封裝線，總投資額達到7000-10000 億韓元。三星預(yù)計將在 2023Q4 開始向北美客戶供應(yīng) HBM3；

3）美光：

2024 年量產(chǎn) HBM3E，多代產(chǎn)品研發(fā)中。美光在此前的財報會議上表示將在 2024 年通過 HBM3E 實現(xiàn)追趕，預(yù)計其 HBM3E 將于 2024Q3 或者 Q4 開始為英偉達的下一代 GPU 供應(yīng)。11 月 6 日美光在臺灣臺中四廠正式開工，宣布將集成先進的探測和封裝測試功能，生產(chǎn) HBM3E 等產(chǎn)品。

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈有望在各品類半導(dǎo)體設(shè)備、材料受益。

1）固晶機：新益昌；

2）測試機、分選機等：長川科技；

3）特種氣體：華特氣體；

4）電子大宗氣體：金宏氣體、廣鋼氣體；

5）前驅(qū)體：雅克科技；

6）電鍍液：天承科技；

7）環(huán)氧塑封料：華海誠科。

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*風(fēng)險提示：股市有風(fēng)險，入市需謹慎